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| 900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性 | |
| 引用本文： | 张进书,金晓军,贾宏勇,陈培毅,钱佩信,罗台秦,杨增敏,黄杰,梁春广.900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性[J].半导体学报,1999(4). |
| 作者姓名： | 张进书 金晓军 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 罗台秦 杨增敏 黄杰 梁春广 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所，香港科技大学电机与电子工程系香港 |
| 摘 要： | 本文对用准泡发射区基区工艺制备的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究．ＳｉＧｅＨＢＴ在偏置电压ＶＣＥ＝４Ｖ和偏置电流Ｉｃ＝３００ｍＡ时截止频率ｆＴ＝７．５ＧＨｚ．在共射结构Ｃ类工作状态下，ＳｉＧｅ异质结双极晶体管工作在９００ＭＨｚ时，连续波输出功率为５Ｗ，集电极转化效率为６３％，功率增益为７．４ｄＢ． |
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