双层修饰玻碳电极测定在大分子污染物存在下的痕量铜(Ⅱ) |
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引用本文: | 杨柳,高晓华,魏万之,夏建军,尹坦姬.双层修饰玻碳电极测定在大分子污染物存在下的痕量铜(Ⅱ)[J].分析试验室,2008,27(2):1-5. |
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作者姓名: | 杨柳 高晓华 魏万之 夏建军 尹坦姬 |
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作者单位: | 1. 红塔烟草(集团)有限责任公司技术中心,玉溪,653100;湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室,长沙,410082 2. 湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室,长沙,410082 |
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摘 要: | 应用选择性渗透的2-巯基乙磺酸(MES)自组装单层膜和纳米金阵列双层修饰玻碳电极,用溶出伏安法测定了在大分子污染物存在下的痕量Cu(Ⅱ)。纳米金阵列的修饰显著提高了玻碳电极的分析性能,而自发吸附的选择性渗透单层膜则有效阻止了电极表面被共存的大分子污染。方法校正曲线的斜率为0.13±0.016μA/10-9,LOD为0.137×10-9,且具有较大的线性范围。用此方法测定冶金废水中Cu2 含量,结果与AAS接近,方法具有实际应用价值。
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关 键 词: | Cu 伏安法 大分子污染物 化学修饰电极 |
文章编号: | 1000-0720(2008)02-001-05 |
收稿时间: | 2006-12-28 |
修稿时间: | 2007-02-26 |
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