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| 频率为12千兆赫下噪声系数低达1.68分贝的砷化镓场效应晶体管 | |
| 引用本文： | 黄子伦.频率为12千兆赫下噪声系数低达1.68分贝的砷化镓场效应晶体管[J].微电子学,1980(1). |
| 作者姓名： | 黄子伦 |
| 摘 要： | 日本电气公司研制出了频率为12千兆赫时最小噪声系数低达1.68分贝的砷化镓场效应晶体管(Ohata,k et al,1979 Technical Digest of Intenational Electron Devices Meeting,pp 277～28O),其增益为10.7分贝。 这种晶体管采用栅一漏或栅一源间隙隐埋部份有源层的单元结构,因此源电阻得以降低。其栅长为0.5微米,宽为280微米,有源层载流子浓度为3×10~(17)厘米~(-3),隐埋前的有源层厚度为0.5微米,隐埋后的厚度为0.3微米以上。由于栅电阻低,栅宽分为4条(1条长70微米)。以前的场效应晶体管NE388的源电阻为5欧姆, |
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