| 微晶硅薄膜高速沉积及电学性质的研究 |
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| 引用本文： | 申陈海,卢景霄,陈永生.微晶硅薄膜高速沉积及电学性质的研究[J].物理学报,2009,58(10):7288-7293. |
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| 作者姓名： | 申陈海 卢景霄 陈永生 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院，材料物理教育部重点实验室，郑州 450052 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划（批准号：2006CB202601） 资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术在高功率密度和高压强条件下，通过改变硅烷浓度和气体总流量对薄膜沉积参数进行了两因素优化，最终在硅烷浓度为45%，气体总流量为100 sccm条件下，获得沉积速率142 nm/s，电导激活能047 eV的优质硅薄膜；同时，通过单因素优化制备出沉积速率为21 nm/s的微晶硅薄膜.利用晶粒间界势垒模型和费米能级统计偏移模型对薄膜的电学特性和传导行为分别进行了研究分析，同时初步分析了“后氧化”对薄膜电学性能的影响.
关键词：
μc-Si:H
甚高频等离子体增强化学气相沉积
高速沉积
电学特性
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| 关 键 词： | μc-Si:H 甚高频等离子体增强化学气相沉积 高速沉积 电学特性 |
| 收稿时间： | 2008-12-15 |
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