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| 非晶硅在硅片吸除技术中的应用研究 | |
| 引用本文： | 刘莉,秦福.非晶硅在硅片吸除技术中的应用研究[J].半导体学报,1998,19(7):538-541. |
| 作者姓名： | 刘莉 秦福 |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院 |
| 摘 要： | 本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术．该技术包括利用ＰＥＣＶＤ法在腐蚀硅片背面沉积４００～８００ｎｍ厚的非晶硅膜，再经过６５０～６８０℃温度的热处理，使沉积膜与硅片结合更牢固，之后，把硅片进行抛光．结果表明，该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷，同时硅片表面层少子寿命可提高２～４倍． |
| 关 键 词： | 半导体 硅片 非晶硅 PECVD法 吸除技术 |
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