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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
Effects of Single Vacancy on Electronic and Optical Properties for γ-Si
3
N
4
作者姓名:
丁迎春
向安平
何修军
朱兴华
胡晓飞
作者单位:
成都信息工程学院光电技术系,成都610225;成都信息工程学院光电技术系,成都610225;成都信息工程学院光电技术系,成都610225;成都信息工程学院光电技术系,成都610225;成都信息工程学院光电技术系,成都610225
摘 要:
基于密度泛函理论的广义梯度近似方法研究了中性单点缺陷γ-Si
3
N
4
的能量、电子结构和光学性质. N缺陷的结合能和形成能比Si(8)和Si(4)位的都低,显示γ-Si
3
N
4
中N缺陷更易形成. 分析了各种缺陷情况下相应的态密度. Si缺陷能形成p型半导体,N缺陷使材料形成间接带隙的n型半导体. Si缺陷情况下,物质有相对大的静态介电常数,在可见光区和红外区,吸收和反射得到显著改善,但是N缺陷却没什么影响.
关 键 词:
γ-Si
3
N
4
,缺陷,光学性质
收稿时间:
2010-01-01
点击此处可从《化学物理学报》浏览原始摘要信息
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