| First-principles Study of Geometric and Electronic Structures of Si(111)-√7×√3-In Surface Reconstruction |
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| 作者姓名： | 商波 袁岚峰 杨金龙 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室(筹)，合肥230026;中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室(筹)，合肥230026;中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室(筹)，合肥230026 |
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| 摘 要： | 为了确定Si(111)-√7×√3-In表面的结构以及理解其电子性质，构建了六角型和矩形型的六种模型，并进行了第一性原理计算．通过模拟这些模型的扫描隧道显微镜图像，计算了功函数，并和实验结果进行了比较．发现hex-H3'模型和rect-T1模型分别为实验中的六角型和矩形型结构．同时还讨论了In覆盖度在1.0单层附近时In/Si(111)表面结构的演化机制．认为4×1相和√7×√3相具有两种不同的演化机制，和实验结果一致
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| 关 键 词： | 表面重构，Si(111)-√7×√3-In，密度泛函理论，扫描隧道显微镜图像 |
| 收稿时间： | 2012-05-18 |
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