首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

GaNxAs1-x(x<0.01)中合金态的光学特性
引用本文:罗向东,孙炳华,徐仲英. GaNxAs1-x(x<0.01)中合金态的光学特性[J]. 物理学报, 2005, 54(5): 2385-2388
作者姓名:罗向东  孙炳华  徐仲英
作者单位:南通大学理学院, 南通 226007;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室, 北京 100083;南通大学理学院, 南通 226007;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室, 北京 100083
基金项目:国家重点基础研究专项基金(批准号:G001CB3095),国家自然科学基金(批准号:10274081) ,中国科学院纳米科学与技术项目,以及江苏省自然科学基金(批准号:BK2004403)资助的 课题.
摘    要:应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的(001)GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中 三元合金态的光学特性.变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别 ,而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性.最后还研究了GaNAs的吸收 光谱特征.

关 键 词:GaNAs   合金态, 光学特性
文章编号:1000-3290/2005/54(05)2385-04
收稿时间:2004-07-13
修稿时间:2004-07-13

Optical properties ofalloy states in GaNxAS1- x (x
Luo Xiang-Dong,Sun Bing-Hua and Xu Zhong-Ying. Optical properties ofalloy states in GaNxAS1- x (x[J]. Acta Physica Sinica, 2005, 54(5): 2385-2388
Authors:Luo Xiang-Dong  Sun Bing-Hua  Xu Zhong-Ying
Abstract:A set of GaNxAs1-x samples with a small content of nit rogen (N)( <1%) were investigated by continuous_wave photoluminescence (PL), pulse_wave exc itation PL, and photo reflectance technology. Temperature_and excitation_depende nce of PL disclosed the intrinsic band gap properties of alloy states in GaNxAs1-x, which was extremely different from the N_related i mpurity states. At the same time, PR spectra were also studied in this work.
Keywords:GaNxAs1-x   alloy state   optical property
点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号