首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

Zn,Co双掺杂近化学计量比LiNbO3晶体的生长及性能
引用本文:夏海平,张嗣春,王金浩,章践立. Zn,Co双掺杂近化学计量比LiNbO3晶体的生长及性能[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(5): 1063-1067
作者姓名:夏海平  张嗣春  王金浩  章践立
作者单位:宁波大学光电子功能材料研究所,宁波,315211;宁波大学光电子功能材料研究所,宁波,315211;宁波大学光电子功能材料研究所,宁波,315211;宁波大学光电子功能材料研究所,宁波,315211
基金项目:浙江省科技厅项目(No.2007C21121);;宁波市科技局项目(No.2007B10053,No.2009A610007);;宁波市重点实验室开放基金(2007A22010);;宁波市4321人才基金(No.2008119)
摘    要:以K_2O为助熔剂,应用坩埚下降法生长出了Co~(2+) 初始浓度为0.5 mol;,以及ZnO分别为3 mol;与6 mol;的单掺与双掺杂SLN晶体(分别用SLN0, SLN3, SLN6表示).测定了晶体上下部位的吸收与发射光谱.在晶体的吸收光谱中均可观察到520 nm,549 nm,612 nm,1447 nm四个吸收峰,表明Co~(2+)处于晶体的八面体场中.ZnO的掺入明显地改变了吸收峰的相对强度.在520 nm光的激发下,观察到776 nm的荧光发射,其荧光强度的相对强弱也与ZnO的掺杂量有明显的联系.从吸收边带估算出SLN0, SLN3, SLN6晶体中Li2O的含量分别为49.06 mol;,49.28 mol;, 49.10 mol;.ZnO的掺杂量对Co~(2+)在铌酸锂晶体中的浓度分布有很大的影响作用,当ZnO的掺入量为3 mol;时,明显地抑制了Co~(2+)在LiNbO_3晶体中的掺入,当ZnO掺杂量达到6 mol;时,抑制作用减弱.本文从Zn~(2+)在LiNbO_3中随浓度变化的分凝情况以及对Co~(2+)的排斥作用解释了Co~(2+)在晶体中的分布特性以及光谱的变化情况.

关 键 词:近化学计量比LiNbO3  助熔剂坩埚下降法  光谱

Growth and Properties of Zn, Co Co-doped Near-stoichiometric LiNbO3 Crystal
XIA Hai-ping,ZHANG Si-chun,WANG Jin-hao,ZHANG Jian-li. Growth and Properties of Zn, Co Co-doped Near-stoichiometric LiNbO3 Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2009, 38(5): 1063-1067
Authors:XIA Hai-ping  ZHANG Si-chun  WANG Jin-hao  ZHANG Jian-li
Affiliation:Institute of Photo-electronic Materials;Ningbo University;Ningbo 315211;China
Abstract:Near-stoichiometric LiNbO3 single crystals doped with 0.5mol% Co2+ and co-doped with Co2+ in 0.5mol%and Zn2+ in 3 mol% and 6 mol% (designated SLN0,SLN3,SLN6,respectively) in the raw compositions were grown by the Bridgman method under the conditions of taking K2O as flux. The absorption spectra and emission spectra of upper and lower parts of crystals were measured. The absorption spectra showed the characteristic of Co2+ in octahedral co-ordination,and four absorption peaks at 520 nm,549 nm,612 nm,1447 nm ...
Keywords:near-stoichiometric LiNbO3 single crystal  flux bridgman method  spectra  
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《人工晶体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号