| Ga1-xAlxAs LED深能级对其发光效率的影响 |
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| 引用本文： | 胡恺生,高瑛,苏锡安,李殿学.Ga1-xAlxAs LED深能级对其发光效率的影响[J].发光学报,1984,5(3):25-32. |
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| 作者姓名： | 胡恺生 高瑛 苏锡安 李殿学 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所 |
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| 摘 要： | 本文用DLTS法测量了发光效率不同的三只Ga1-xAlxAs LED的深能级浓度.深度和俘获截面,并计算出电子和空穴的寿命,同时测量了它们的发光光谱和光通.从发光效率正比于载流子寿命的观点出发,分析了实验结果.表明1*与3*LED发光效率比R1大致等于它们的寿命比Rτ,但2*与3*却差别很大,文中从光谱角度作了一些分析,差值有所改进.从载流子寿命分析,找出了△Em=0.28、0.33与0.32eV三个能级是分别影响三个LED效率的主要能级。指出了8800Å的红外峰是使发光效率降低的另一个原因,它可能起因于外延层与村底界面处GaAs的带间复合和通过杂质的复合,要得到高效的LED必须制备出好的Ga1-xAlxAs与GaAs界面,应尽可能使红外峰减少.实验表明,效率高的LED仅有一个深能级(0.28eV),在室温下视察不到明显的红外峰。
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| 收稿时间： | 1983-09-17 |
EFFECT OF DEEP LEVEL ON LUMINOUS EFFICIENCY OF Ga1-AlxAs |
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| Hu Kaisheng,Gao Ying,Su Xian,Li Dianxue.EFFECT OF DEEP LEVEL ON LUMINOUS EFFICIENCY OF Ga1-AlxAs[J].Chinese Journal of Luminescence,1984,5(3):25-32. |
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| Authors: | Hu Kaisheng Gao Ying Su Xian Li Dianxue |
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| Institution: | Changchun Institute of Physics, Academia Sinica |
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| Abstract: | Effect of deep level on luminous efficiency of Ga1-xAlxAs is studied by DLTS method. The concentration, the depth and the capture cross-section of deep levels are measured for three LEDs with different efficiencies, and then the life time τn of majority carrier in n region are calculated. The emission spectra and the luminous flux of these LEDs are also measured. |
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