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国外注入式半导体发光器件进展
引用本文:
孙膺九.国外注入式半导体发光器件进展[J].发光学报,1978(4).
作者姓名:
孙膺九
作者单位:
天津市半导体技术研究所
摘 要:
本文评述了近几年来半导体发光器件的市场和应用情况;评述了常见几种发光器件的现状;叙述了为提高器件效率和可靠性,在非辐射复合中心及退化机理方面所开展的一些基础研究工作;同时还叙述了兰色发光器件和光纤通讯用红外发光器件的若干进展。
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