| 太赫兹硅雪崩渡越时间二极管低温特性研究 |
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| 引用本文： | 吴涛,祝大龙,徐金平,王霄. 太赫兹硅雪崩渡越时间二极管低温特性研究[J]. 低温物理学报, 2008, 30(3) |
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| 作者姓名： | 吴涛 祝大龙 徐金平 王霄 |
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| 作者单位： | 1. 东南大学毫米波国家重点实验室,南京,210096
2. 南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | 本文给出了准确描述硅雪崩渡越时间二极管工作特性的大信号仿真模型,研究了影响硅雪崩越时间(IMPATY,Impact Avalanche Transit Time)二极管工作状态的离化率和饱和漂移速度,考虑Si-IMPATT二极管热限制的条件下,计算了二极管的最大工作电流.通过大信号仿真分析,我们得到如下结果:(1)随着温度的降低,二极管输出功率提高;(2)随着温度的降低,二极管工作频率向高端偏移,本文还建立了液氮制冷环境下IMPATT振荡器的测试系统,与常温工作相比,77K低温环境下IMPATT二极管的输出功率提高了47.8%,频率也向高端偏移了6.3%,实验结果与仿真预测一致.
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| 关 键 词： | 太赫兹 硅崩越二极管 低温 频率特性 功率特性 |
CHARACTERISTICS of TERAHERTZ SILICON IMPATT DIODES IN CRYOGENIC TEMPERATURE |
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| WU Tao,ZHU Da-long,XU Jin-ping,WANG Xiao. CHARACTERISTICS of TERAHERTZ SILICON IMPATT DIODES IN CRYOGENIC TEMPERATURE[J]. Chinese Journal of Low Temperature Physics, 2008, 30(3) |
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| Authors: | WU Tao ZHU Da-long XU Jin-ping WANG Xiao |
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