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| Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的氧化膜及其界面性质研究的进展 | |
| 引用本文： | 陈克铭,仇兰华.Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的氧化膜及其界面性质研究的进展[J].物理,1984(4). |
| 作者姓名： | 陈克铭 仇兰华 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (陈克铭)，中国科学院半导体研究所(仇兰华) |
| 摘 要： | Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体具有迁移率高、有效质量小等优点,因此它们的氧化膜及其界面性质的研究就成为当前研究的重要课题之一.它将为微波MOS场效应晶体管向毫米波段发展,为低功耗超高速逻辑集成电路研制开拓新的途径.现在制备的氧化膜大体上可分为本体氧化膜和复合氧化膜两大类.对GaAs的氧化膜及其界面性质已有大量的研究并取得了一定的进展.以InP为基础的化合物半导体的研究开始得晚一些,但是却有后来居上之势.本文介绍GaAs的氧化膜及其界面性质的研究;InP的氧化膜及其界面性质的研究;GaAs和 InP与氧化膜界面性质的比较和几点看法.同时… |
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