| Ti/AIN陶瓷界面反应的光电子能谱研究 |
| |
| 引用本文： | 沈电洪,包昌林,陆华,张小军,林彰达.Ti/AIN陶瓷界面反应的光电子能谱研究[J].物理学报,1995,44(2):259-265. |
| |
| 作者姓名： | 沈电洪 包昌林 陆华 张小军 林彰达 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室,北京100080 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的课题. |
| |
| 摘 要： | 用X射线光电子能谱(XPS)研究了在室温和超高真空条件下金属Ti淀积在AlN陶瓷表面上的化学反应过程.在金属Ti淀积之前,从AlN陶瓷的能谱中的Ols和Al2P的结合能可以看到因是样品的主要杂质,而且样品表面部分的Al被氧化.当样品淀积了金属Ti以后,发现刚淀积上去的Ti是氧化状态,还发现在Ti淀积的同时则Nls在高结合能处(402和406eV)出现新峰.随着Ti淀积厚度的增加,Ti低结合能的成份在增加而Al的氧化成份逐渐增加,Nls高结合能处的峰(402和406eV)也逐渐增高,更进一步成为主导地.N在
关键词：
|
| 收稿时间： | 1994-03-18 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
