| UTBB SOI MOSFETs短沟道效应抑制技术 |
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| 引用本文： | 李曼,张淳棠,刘安琪,姚佳飞,张珺,郭宇锋.UTBB SOI MOSFETs短沟道效应抑制技术[J].固体电子学研究与进展,2023(5):392-400. |
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| 作者姓名： | 李曼 张淳棠 刘安琪 姚佳飞 张珺 郭宇锋 |
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| 作者单位： | 1. 南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室;2. 南京邮电大学集成电路科学与工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（61874059,61904083,62074080）；;江苏省自然科学基金资助项目（BK20201206）；;江苏省研究生科研与实践创新计划项目（KYCX20＿0704）； |
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| 摘 要： | 随着栅极长度、硅膜厚度以及埋氧层厚度的减小，MOS器件短沟道效应变得越来越严峻。本文首先给出了决定全耗尽绝缘体上硅短沟道效应的三种机制；然后从接地层、埋层工程、沟道工程、源漏工程、侧墙工程和栅工程等六种工程技术方面讨论了为抑制短沟道效应而引入的不同UTBB SOI MOSFETs结构，分析了这些结构能够有效抑制短沟道效应（如漏致势垒降低、亚阈值摆幅、关态泄露电流、开态电流等）的机理；而后基于这六种技术，对近年来在UTBB SOI MOSFETs短沟道效应抑制方面所做的工作进行了总结；最后对未来技术的发展进行了展望。
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| 关 键 词： | UTBB SOI MOSFETs 短沟道效应 漏致势垒降低 埋氧层厚度 |
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