|
|||||
|
|
| 钇对掺饵多孔硅体系1.54μm发光的增强作用 | |
| 引用本文： | 张晓霞,谢国伟,石建新,罗莉,黄伟国,龚孟濂.钇对掺饵多孔硅体系1.54μm发光的增强作用[J].化学学报,2003,61(9):1430-1433. |
| 作者姓名： | 张晓霞 谢国伟 石建新 罗莉 黄伟国 龚孟濂 |
| 作者单位： | 1. 中山大学,光电材料与技术国家重点实验室,化学与化学工程学院,广州,510275;香港浸会大学物理系,香港,九龙塘 2. 香港浸会大学物理系,香港,九龙塘 3. 香港浸会大学物理系,香港,九龙塘;广东工业大学应用物理系,广州,510090 4. 香港浸会大学化学系,香港,九龙塘 |
| 基金项目： | 香港RGCEarmarkedGrant资助项目，广东省自然科学基金 (Nos.980 342 ,970 1 63)，光电材料与技术国家重点实验室基金 (2 0 0 0 )资助项目 |
| 摘 要： | 首次报道了用恒电位电解法将饵、钇共掺入多孔硅（porous silicons, PS） 中，经高温退火处理后，观察到了在近红外区（1.54 μm）室温下较强的光致发光 （photoluminescence, PL），并与掺饵多孔硅（erbium-doped porous silicon, PS:Er）做了比较，发现钇的共掺入对掺饵多孔硅体系1.54 μm发射起了增强作用 。研究了饵、钇共掺杂多孔硅（erbium and yttrium co-doped porous silicon, PS:Er, Y）光致发光强度随温度的变化，发现PS:Er与Si:Er材料相似，有较强的 温度猝灭效应，而PS:Er，Y体系的PL强度随温度升高趋于平稳，且有增强的趋势， 受温度影响不明显，并初步探讨了其发光机制。 |
| 关 键 词： | 硅 铒 钇 掺杂 光致发光 电解 荧光猝灭剂 |
| 修稿时间： | 2003年1月23日 |
Enhanced 1.54 μm Luminescence from Erbium and Yttrium Co-doped Porous Silicon |
|
| Institution: | State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Chemistry and Chemical Engineering, Sun Yat-sen University;Department of Chemistry, Hong Kong Baptist University;Department of Physics, Hong Kong Baptist University |
| Abstract: | Fabrication of erbium (Er) and yttrium (Y) co-doped porous silicon (PS:Er,Y) is firstly reported. Enhancement of Er-related photoluminescence at 1.54 μm has been achieved by the co-doping of Y~ (3+) . The dependence of photoluminescence intensity on temperature was investigated. Luminescence quenching was observed for PS：Er, similar to that for Si:Er, while 1.54 μm luminescence intensity from PS:Er,Y was found to increase a little when the photoluminescence spectra were measured at a higher temperature. A possible enhanced photoluminescence mechanism was proposed. |
| Keywords: | porous silicon erbium yttrium co-doping near infrared photoluminescence |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《化学学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《化学学报》下载免费的PDF全文 | |