|
|||||
|
|
| InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性 | |
| 作者姓名： | 李金友 王海龙 杨锦 曹春芳 赵旭熠 于文富 龚谦 |
| 作者单位： | 1. 曲阜师范大学物理工程学院山东省激光偏光与信息技术重点实验室;2. 中国科学院大学信息功能材料国家重点实验室;3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61674096)；;山东省自然科学基金(ZR2019PA010)资助项目~~； |
| 摘 要： | 研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15～100 K的电压温度系数(dV/dT)为7.87～8.32 mV/K,在100～300 K的电压温度系数为2.93～3.17 mV/K。由理论模型计算得到该激光器在15～100 K的电压温度系数为2.56～2.75 mV/K,在100～300 K的电压温度系数为3.91～4.15 mV/K。在100～300 K,实验测量与理论模型计算得出的电压温度系数接近,理论模型能较好地模拟激光器的温度电压特性;但在15～100 K相差较大,还需要进一步完善。 |
| 关 键 词： | 量子阱激光器 InGaAs/GaAs/InGaP 低温 温度电压特性 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |