含噻吩的共聚物有序薄膜的制备及电性能测试

通过自组装技术(SAM)在ITO基底表面化学吸附一层规整有序单分子膜,然后在催化剂存在下,通过表面引发Suzuki缩聚反应制备得到有序的聚合物薄膜,并研究了聚合条件对聚合物薄膜性能的影响。从SEM和AFM对聚合物薄膜的形貌表征结果可知,聚合物薄膜已经顺利制备于ITO玻璃表面,并且以化学键与ITO表面垂直相连。通过对不同聚合条件下聚合物薄膜的XRD测试,结果表明随着聚合时间的延长及聚合单体浓度的增加,聚合物薄膜的有序性增加。除此之外,还对聚合物薄膜进行了光电性能测试,循环伏安的测试结果表明,随着聚合时间的延长及聚合单体浓度的增加,所得聚合物薄膜的能隙也在不断增加。电流-电压(I-V)测试结果表明,聚合物薄膜的电流随着电压的增大而增大,呈线性趋势,表明聚合物薄膜与ITO是欧姆接触,有利于电荷在电极的收集。