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GaAs低噪声混频二极管串联电阻的研究
作者姓名:孙道云  康长琦  胡成烈  梁春广
摘    要:本文论述了混频二极管的关键参数之一——串联电阻对器件微波参数的重要影响;较详细地叙述和计算了影响串联电阻r_s的各种主要因素。叙述了为减小串联电阻所采取的工艺方法和措施,列出了实验结果。势垒直径φ=6μm,串联电阻最小值为1Ω,典型值为1.4Ω。器件在兄弟单位整机中使用效果良好。

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