| CuInSe2电子结构与光学性质的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 冯晶,肖冰,陈敬超. CuInSe2电子结构与光学性质的第一性原理计算[J]. 物理学报, 2007, 56(10) |
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| 作者姓名： | 冯晶 肖冰 陈敬超 |
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| 摘 要： | 从头计算了CuInSe2(CIS)体相的性质,参数设定和性质计算都基于密度泛函理论,交换相关能采用GGA,泛函形式为PBE,原子间相互作用的描述采用超软赝势.计算发现CIS中存在共价键,是一种非典型的离子型晶体,在整个晶体内存在共用电子对,Cu原子和Se原子的作用大于Se原子和In原子.CIS是一种典型的直接带隙半导体,计算得到了光学性质的各项参数,包括折射指数和反射率,吸收系数以及介电函数与光子能量的关系,发现CIS的主要光吸收峰有6个,分别为:3.1,7.6,10.0,16.1,19.0,21.0 eV,理论上最强吸收峰在紫外光区.
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| 关 键 词： | 半导体 密度泛函理论 光电转换 太阳能材料 |
Electronic and optical properties of CuInSe2 from ab-initio calculations |
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| Feng Jing,Xiao Bing,Chen Jing-Chao. Electronic and optical properties of CuInSe2 from ab-initio calculations[J]. Acta Physica Sinica, 2007, 56(10) |
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| Authors: | Feng Jing Xiao Bing Chen Jing-Chao |
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| Keywords: | CIS |
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