| 基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究 |
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| 引用本文： | 刘 杰,郝 跃,冯 倩,王 冲,张进城,郭亮良. 基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究[J]. 物理学报, 2007, 56(6): 3483-3487 |
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| 作者姓名： | 刘 杰 郝 跃 冯 倩 王 冲 张进城 郭亮良 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973)(批准号：51327020301，2002CB311904)和西安应用材料创新基金(批准号：XA-AM-200616)资助的课题. |
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| 摘 要： | 基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温I-V测试和C-V测试，采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明，肖特基接触的电流输运机理非常复杂，在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触I-V特性方程进行了修正，得到了很好的拟合曲线.试验表明，高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值.关键词：氮化镓肖特基二极管表面势垒减薄模型热电子场发射
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| 关 键 词： | 氮化镓 肖特基二极管 表面势垒减薄模型 热电子场发射 |
| 文章编号： | 1000-3290/2007/56(06)/3483-05 |
| 收稿时间： | 2006-08-09 |
| 修稿时间： | 2006-08-09 |
Characterization of Ni/Au GaN Schottky contact base on I-V-T and C-V-T measurements |
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| Liu Jie,Hao Yue,Feng Qian,Wang Chong,Zhang Jin-Cheng and Guo Liang-Liang. Characterization of Ni/Au GaN Schottky contact base on I-V-T and C-V-T measurements[J]. Acta Physica Sinica, 2007, 56(6): 3483-3487 |
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| Authors: | Liu Jie Hao Yue Feng Qian Wang Chong Zhang Jin-Cheng Guo Liang-Liang |
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| Abstract: | Based on the temperature-dependent current-voltage (I-V-T) measurements and the temperature-dependent capacitance-voltage (C-V-T) measurements of Schottky diodes fabricated on n-type GaN,the mechanism of the electrical current transport was discussed using thin surface barrier (TSB) model. The experiment results indicated that there are different mechanisms at different temperatures and bias. Based on this assumption we give a modified I-V characteristic formula which gives excellent fit to the experiment data. The SBHs determined from high-temperature I-V curves,low-temperature C-V curves,and the metal work function agree well each other. |
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| Keywords: | GaN Schottky diode thin surface barrier model thermion field emission |
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