高灵敏度互阻抗InGaAs/InP单片PIN场效应晶体管集成电路

演示了高灵敏度长波 InGaAs/InP 单片PIN 场效应晶体管光电子集成电路(OEIC)接收器。该光电子单片集成电路采用倒相放大器,用离子注入技术和 MOVPE 生长的晶体制成。当波长为1.3μm时,该光电子单片集成电路在622Mb/s、1.2Gb/s 和2Gb/s 的灵敏度分别为—33.6、—26.5和—24.3dBm。使用同样技术,还设计并制出可用—5伏单电源运转的光电子集成电路。其灵敏度在622Mb/s 为—32dBm,动态范围22dB。噪声测量显示,噪声来源于第一个场效应管后面的回路以及反馈电阻中的热噪声。测量还表明,为获得极高灵敏度必须减小结型场效应管的栅噪声。