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多芯片组件的三维温场有限元模拟与分析
引用本文:魏顺宇,李志国,程尧海,黄瑞毅,周敏.多芯片组件的三维温场有限元模拟与分析[J].微电子学,2005,35(4):371-374.
作者姓名:魏顺宇  李志国  程尧海  黄瑞毅  周敏
作者单位:1. 北京工业大学,电子信息与控制工程学院,微电子可靠性研究室,北京,100022
2. 信息产业部,电子第五研究所,广东,广州,510610
基金项目:信息产业部基金资助项目(41501130507)
摘    要:针对双列直插封装的大功率MCM,建立了简化的热学模型;利用有限元数值方法,在ANSYS软件平台下,对其三维温场进行了稳态模拟和分析。模拟结果与测量值的误差为4.5%,表明设定的模型与实际情况符合较好。模拟结果表明,对于金属DIP封装的MCM,内热通路主要沿芯片背面向外壳底表面传递。

关 键 词:多芯片组件  热模拟  热分析  有限元
文章编号:1004-3365(2005)04-0371-04
收稿时间:2004-09-13
修稿时间:2004-09-13

Finite Element Simulation for 3-D Thermal Analysis of MCM
WEI Shun-yu,LI Zhi-guo,CHENG Yao-hai,HUANG Rui-yi,ZHOU Min.Finite Element Simulation for 3-D Thermal Analysis of MCM[J].Microelectronics,2005,35(4):371-374.
Authors:WEI Shun-yu  LI Zhi-guo  CHENG Yao-hai  HUANG Rui-yi  ZHOU Min
Abstract:Three-dimensional finite element model for 20-pin metal DIP (dual in-line package) type MCM (multi-chip module) is studied using the finite element method combined with ANSYS program. The model has been used for thermal characterization of the MCM. A good agreement (within 4.5%) with experimental result is obtained. Simulation results show that the thermal path from chip to the bottom surface of the metal DIP-type MCM is the main path for heat dissipation.
Keywords:MCM  Thermal simulation  Thermal analysis  Finite element
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