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| 低维半导体偏振光探测器研究进展 | |
| 引用本文： | 魏钟鸣,夏建白.低维半导体偏振光探测器研究进展[J].物理学报,2019(16). |
| 作者姓名： | 魏钟鸣 夏建白 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 |
| 摘 要： | 偏振光探测在遥感成像、环境监测、医疗检测和军事设备等领域都具有很好的应用价值,目前已经有一系列偏振探测和成像产品.随着信息器件进一步小型化、集成化,基于新型低维材料的偏振光探测器可以直接利用材料本征的各向异性对偏振光进行感知,在未来偏振光探测领域有很好的应用前景.很多二维/一维半导体材料,例如:黑磷, ReS_2, GaTe, GeSe, GeAs及ZrS_3等,都具有较强的本征面内各向异性,可以用于高性能偏振光探测器.基于此类低维半导体材料设计的不同结构类型的偏振光探测器已经覆盖了紫外、可见以及红外等多个波段.本文总结了近年来相关领域的研究进展和我们课题组的一些工作. |
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