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| 氧化物基忆阻型神经突触器件 | |
| 引用本文： | 刘益春,林亚,王中强,徐海阳.氧化物基忆阻型神经突触器件[J].物理学报,2019(16). |
| 作者姓名： | 刘益春 林亚 王中强 徐海阳 |
| 作者单位： | 东北师范大学紫外光发射材料与技术教育部重点实验室 |
| 摘 要： | 忆阻器具有高密度、低功耗和阻值能够连续可调的特性,被认为是模拟神经突触最具潜力的候选者.而金属氧化物,因其氧离子可迁移,组分易于调控,与传统CMOS兼容等优点,是发展高性能忆阻器件的理想材料.本文首先介绍了氧化物基忆阻器件阻变行为及其运行机制,包括数字型和模拟型忆阻器.主要综述了基于模拟型忆阻器实现的突触器件认知功能模拟,包括非线性传输特性、时域突触可塑性、经验式学习和联合式学习等.然后进一步介绍了忆阻型突触器件在模式识别、声音定位、柔性可穿戴和光电神经突触方面的潜在应用.最后总结展望氧化物基忆阻神经突触在相关领域的可能发展方向. |
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