| 硫离子注入纳米金刚石薄膜的微结构和电化学性能 |
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| 引用本文： | 蒋梅燕,朱政杰,陈成克,李晓,胡晓君.硫离子注入纳米金刚石薄膜的微结构和电化学性能[J].物理学报,2019(14):350-357. |
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| 作者姓名： | 蒋梅燕 朱政杰 陈成克 李晓 胡晓君 |
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| 作者单位： | 浙江工业大学材料科学与工程学院 |
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| 摘 要： | 采用热丝化学气相沉积法制备纳米金刚石薄膜,并对薄膜进行硫离子注入和真空退火处理.系统研究了退火温度对薄膜微结构和电化学性能的影响.结果表明,硫离子注入有利于提升薄膜的电化学可逆性.在800°C及以下温度退火时,薄膜中晶界处的非晶碳相逐渐向反式聚乙炔相转变,致使电化学性能逐渐变差.当退火温度上升到900°C时, Raman光谱和TEM结果显示此时薄膜中金刚石相含量较多且晶格质量较好,晶界中的反式聚乙炔发生裂解;X射线光电子能谱结果表明,此时C-O键、C=O键、p-p*含量显著增多;Hall效应测试显示此时薄膜迁移率与载流子浓度较未退火时明显升高;在铁氰化钾电解液中氧化还原峰高度对称,峰电位差减小至0.20 V,电化学活性面积增加到0.64 mC/cm^2,电化学可逆性远好于600, 700, 800°C退火时的样品.
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| 关 键 词： | 纳米金刚石薄膜 硫离子注入 电化学性能 微结构 |
Microstructural and electrochemical properties of sulfur ion implanted nanocrystalline diamond films |
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| Jiang Mei-Yan,Zhu Zheng-Jie,Chen Cheng-Ke,Li Xiao,Hu Xiao-Jun.Microstructural and electrochemical properties of sulfur ion implanted nanocrystalline diamond films[J].Acta Physica Sinica,2019(14):350-357. |
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| Authors: | Jiang Mei-Yan Zhu Zheng-Jie Chen Cheng-Ke Li Xiao Hu Xiao-Jun |
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| Institution: | (College of Materials Science and Engineering,Zhejiang University of Technology,Hangzhou 310014,China) |
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| Abstract: | Jiang Mei-Yan;Zhu Zheng-Jie;Chen Cheng-Ke;Li Xiao;Hu Xiao-Jun(College of Materials Science and Engineering,Zhejiang University of Technology,Hangzhou 310014,China) |
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| Keywords: | nanocrystalline diamond films sulfur ion implantation electrochemical properties microstructure |
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