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钙钛矿的Rashba效应及其对载流子复合的影响
引用本文:魏应强,徐磊,彭其明,王建浦. 钙钛矿的Rashba效应及其对载流子复合的影响[J]. 物理学报, 2019, 0(15): 1-20
作者姓名:魏应强  徐磊  彭其明  王建浦
作者单位:南京工业大学先进材料研究院江苏省柔性电子重点实验室江苏先进生物与化学制造协同创新中心
基金项目:国家重点基础研究发展计划(批准号:2015CB932200);国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项中国与欧盟合作项目(批准号:2016YFE0112000);国家自然科学基金重大研究计划(批准号:91733302);国家自然科学基金青年科学基金(批准号:11804156);国家杰出青年科学基金(批准号:61725502);南京工业大学引进人才科研启动专项经费(批准号:38274017104)资助的课题~~
摘    要:当直接半导体中存在强的自旋轨道耦合作用,且材料结构不具备中心反演对称性时, Rashba效应将会出现,从而使自旋简并的能带分裂为具有相反自旋态的两个子能带.这两个子能带会偏离布里渊区的对称中心位置,致使半导体呈现出间接带隙的特征.金属卤化物钙钛矿兼具强的自旋轨道耦合和结构中心反演不对称性,在Rashba效应研究中展现出巨大的潜力.本文围绕钙钛矿中Rashba效应的理论研究与实验证明,Rashba效应对载流子复合的影响以及目前Rashba效应研究中出现的争论,系统地进行回顾与梳理;针对钙钛矿中Rashba效应的研究现状,提出了几个目前亟待解决的问题,并展望了该领域未来的研究方向.

关 键 词:钙钛矿  Rashba效应  载流子复合

Rashba effect in perovskites and its influences on carrier recombination
Wei Ying-Qiang,Xu Lei,Peng Qi-Ming,Wang Jian-Pu. Rashba effect in perovskites and its influences on carrier recombination[J]. Acta Physica Sinica, 2019, 0(15): 1-20
Authors:Wei Ying-Qiang  Xu Lei  Peng Qi-Ming  Wang Jian-Pu
Affiliation:(Key Laboratory of Flexible Electronics (KLOFE) and Institute of Advanced Materials (IAM),Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM),Nanjing Tech University (NanjingTech),Nanjing 211816,China)
Abstract:Wei Ying-Qiang;Xu Lei;Peng Qi-Ming;Wang Jian-Pu(Key Laboratory of Flexible Electronics (KLOFE) and Institute of Advanced Materials (IAM),Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM),Nanjing Tech University (NanjingTech),Nanjing 211816,China)
Keywords:perovskite  Rashba effect  carrier recombination
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