| 硒化亚锗薄膜太阳能电池研究进展※ |
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| 引用本文： | 闫彬,薛丁江,胡劲松.硒化亚锗薄膜太阳能电池研究进展※[J].化学学报,2022,80(6):797-804. |
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| 作者姓名： | 闫彬 薛丁江 胡劲松 |
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| 作者单位： | 中国科学院化学研究所 分子纳米结构与纳米技术院重点实验室 北京 100190 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(Nos.21922512,21875264)资助~~； |
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| 摘 要： | 硒化亚锗(GeSe)禁带宽度合适(≈1.14 eV), 吸光系数大(>105 cm-1), 迁移率高(128.7 cm2?V–1?s–1), 价带顶中包含反键轨道赋予了其本征缺陷良性, 理论光电转换效率可达30%以上, 适合于制作高效薄膜太阳能电池; 同时GeSe具有毒性低、储量丰富、组分简单及稳定性强等优点, 还易于通过低成本的升华法进行薄膜制备, 从而在大规模应用方面具有巨大潜力. 以GeSe为研究对象, 介绍了GeSe基本性质, 总结了GeSe薄膜制备研究进展, 阐述了GeSe薄膜太阳能电池研究现状, 并展望了其今后发展方向与趋势.
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| 关 键 词： | GeSe 太阳能电池 光伏 薄膜制备 缺陷性质 |
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