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| 沟道基区晶体管 | |
| 引用本文： | 亢宝位,董利民,仲玉林.沟道基区晶体管[J].电子学报,1987(5). |
| 作者姓名： | 亢宝位 董利民 仲玉林 |
| 作者单位： | 北京工业大学 (亢宝位，董利民)，辽宁大学(仲玉林) |
| 摘 要： | 本文报导了一类新的晶体管-沟道基区晶体管(CBT)的实验研究和初步理论分析结果。这种晶体管在原理上同时含有双极晶体管和常闭型结型场效应晶体管的成份,其突出优点是电流增益随温度的变化和小电流区电流增益随电流的变化都远比双极晶体管小。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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