| SiC半导体技术--即将腾飞的新一代半导体技术 |
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| 引用本文： | Aron Levy,千帆.SiC半导体技术--即将腾飞的新一代半导体技术[J].电子产品世界,2003(9). |
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| 作者姓名： | Aron Levy 千帆 |
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| 作者单位： | Technology Dynamics Inc. |
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| 摘 要： | 电源设计者们仿佛正在目睹一个新的半导体技术的诞生。随之而来的新一代功率半导体器件远远优于现有的硅技术。SiC 材料可以让器件具有迄今为止设计工程师们梦寐以求却不能得到的出色特性。其最重要的优点包括以下几个方面：:工作结温高达225 ℃，而相应的漏电流只有适度的增加。由于本质上不会出现热偏移thermal run－away)，故可以在
很高的结温下可靠的工作。
没有正向或反向恢复，故即使在高温
下以高频工作时，也没有开关损耗。
甚至可以实现开关损耗极小、频率
高达1 M H z 的深度切换(h a rd
正向电阻具有…
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Silicon Carbide Semicondutor Technology:--A new generation of semiconductors is about to take off |
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| ARON Levy,Technology Dynamics.Silicon Carbide Semicondutor Technology:--A new generation of semiconductors is about to take off[J].Electronic Engineering & Product World,2003(9). |
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| Authors: | ARON Levy Technology Dynamics |
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