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| 新型功率半导体器件——Light MOS晶体管 | |
| 引用本文： | 毛兴武,王守志.新型功率半导体器件——Light MOS晶体管[J].电子产品与技术,2004(5):71-74. |
| 作者姓名： | 毛兴武 王守志 |
| 摘 要： | 基于非穿通NPT／沟槽工艺的Light MOS，是一种内置续流二极管的新型IGBT。Light MOS组合了MOSFET和IGBT的优点，栅极电容较MOSFET小10倍．具有低功耗损耗特征．最适台于在电子镇流器谐振半桥拓井中作为开关使用．并与3A／600V／1.5—3欧姆的MOSFET等效。 |
| 关 键 词： | 功率半导体器件 LightMOS 晶体管 栅极电容 续流二极管 |
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