| 低温缓冲层对氧化锌薄膜质量的影响 |
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| 作者姓名： | 石增良 刘大力 闫小龙 高忠民 徐经纬 白石英 |
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| 作者单位： | 集成光电子学国家重点实验室, 吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012;中国科学院长春应用化学研究所, 国家电化学和光谱研究分析中心,吉林,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家“863”计划资助项目(2001AA311130) |
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| 摘 要： | 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在Si衬底上外延生长ZnO薄膜。为了改善氧化锌薄膜的质量,首先在Si衬底上生长低温ZnO缓冲层,然后再生长高质量的ZnO薄膜。通过XRD、SEM、光致发光(PL)光谱的实验研究,发现低温ZnO缓冲层可有效降低ZnO薄膜和Si衬底之间的晶格失配以及因热膨胀系数不同引起的晶格畸变。利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的(002)面衍射峰的强度要比直接在Si上生长的ZnO薄膜样品的高,并且衍射峰的半高宽也由0.21°减小到0.18°,同时有低温缓冲层的样品室温下的光致发光峰也有了明显的增高。这说明利用低温缓冲层生长的ZnO薄膜的结晶质量和光学性质都得到了明显改善。
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| 关 键 词： | 氧化锌薄膜 MOCVD 低温缓冲层 XRD SEM |
| 文章编号： | 1000-7032（2008）01-0124-05 |
| 收稿时间： | 2007-08-25 |
| 修稿时间： | 2007-11-24 |
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