| 二十四所半导体工艺技术发展历程与展望 |
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| 引用本文： | 何开全,王志宽,钟怡.二十四所半导体工艺技术发展历程与展望[J].微电子学,2008,38(1):17-22. |
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| 作者姓名： | 何开全 王志宽 钟怡 |
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| 作者单位： | 1. 模拟集成电路国家级重点实验室;中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060
2. 中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 回顾了中电科技集团公司第二十四研究所自建所以来的半导体集成电路工艺发展历程.晶圆尺寸从1.5吋(40 mm) 到6吋(150 mm),特征线宽从10 μm到0.5 μm,器件特征频率从低频到射频,工作电压从5 V到800 V,包括射频和高压大功率的各种器件.从研制成功全国第一块大规模集成电路至今,二十四所作为全国唯一的模拟集成电路专业研究所,在各个领域均取得了突出的成就,见证了中国半导体集成电路事业的发展历程.最后,展望了二十四所模拟及专用集成电路工艺技术的发展前景.
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| 关 键 词： | 半导体工艺 双极 互补双极 CMOS VDMOS BiCMOS SOI 半导体 工艺技术 工艺发展 Prospect Development IC Technology 前景 专用集成电路 事业 中国 专业 模拟 规模集成电路 高压大功率 工作电压 射频 低频 特征频率 器件 特征线宽 |
| 文章编号： | 1004-3365（2008）01-0017-06 |
| 收稿时间： | 2007-12-28 |
| 修稿时间： | 2008-01-13 |
Development and Prospect of SISC's Semiconductor IC Technology |
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| HE Kai-quan,WANG Zhi-kuan,ZHONG Yi.Development and Prospect of SISC's Semiconductor IC Technology[J].Microelectronics,2008,38(1):17-22. |
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| Authors: | HE Kai-quan WANG Zhi-kuan ZHONG Yi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Semiconductor IC technology Bipolar Complementary bipolar CMOS VDMOS BiCMOS SOl |
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