| 0.18-mm RF CMOS 工艺电感电容压控振荡器* |
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| 引用本文： | 李文渊,李显,王志功.0.18-mm RF CMOS 工艺电感电容压控振荡器*[J].半导体学报,2011,32(11):115003-6. |
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| 作者姓名： | 李文渊 李显 王志功 |
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| 作者单位： | 东南大学,东南大学,东南大学 |
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| 基金项目： | 浙江省长三角重大科技攻关计划项目 |
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| 摘 要： | 采用SMIC 0.18mm RF CMOS工艺设计实现了一种低相位噪声的压控振荡器。该电路采用了优化设计的电感电容谐振腔,差分耦合的放大器作为负阻补偿谐振腔的能量损耗。为了拓宽电路的频率调谐范围,在电路中设计了三比特开关电容阵列。测试结果表明：振荡器频率调谐范围为1.92GHz 到3.35GHz,在2.4GHz 频率处偏移载波1MHz处的相位噪声为-117.8dBc/Hz。电路直流供电电压为1.8V,电流为5.6mA.,芯片尺寸为600mm′900mm。芯片性能良好,可以应用于IEEE802.11b标准的无线局域网接收机中。.
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| 关 键 词： | 压控振荡器 相位噪声 品质因数 负载阻抗 开关电容阵列 |
| 收稿时间： | 4/6/2011 9:10:37 AM |
| 修稿时间： | 7/19/2011 5:07:18 PM |
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