| 反馈式ECL记忆门的记忆性能和移位计数器 |
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| 引用本文： | 刘莹,方倩,方振贤.反馈式ECL记忆门的记忆性能和移位计数器[J].半导体学报,2006,27(12):2184-2189. |
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| 作者姓名： | 刘莹 方倩 方振贤 |
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| 作者单位： | 黑龙江大学电子工程学院，哈尔滨 150080;同济大学电子与信息工程学院，上海 201804;黑龙江大学电子工程学院，哈尔滨 150080 |
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| 基金项目： | 黑龙江省重点实验室基金
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黑龙江省科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 经过数学论证表明,改进反馈式ECL(MFECL)门可在二个状态中任一态保持稳定,所以认为MFECL门就是一种ECL记忆门或D锁存器.提出了一种由两个ECL记忆门组成的ECL主从D触发器.在上述理论基础上,利用此主从D触发器设计出5进制移位型计数器.经过计算机模拟上述电路,验证了理论和电路的正确性.
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| 关 键 词： | 反馈式ECL记忆门的记忆性能 D锁存器 主从D触发器 5进制移位型计数器 反馈式 记忆性能 移位计数器 Counter Feedback Property 验证 电路 模拟上 计算机 移位型计数器 进制 触发器设计 利用 理论 组成 锁存器 稳定 状态 改进 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)12-2184-06 |
| 收稿时间： | 02 24 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 7/25/2006 5:36:31 AM |
Memory Property of a Feedback ECL Memory-Gate and ECL Shifting Counter |
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| Liu Ying,Fang Qian and Fang Zhenxian.Memory Property of a Feedback ECL Memory-Gate and ECL Shifting Counter[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(12):2184-2189. |
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| Authors: | Liu Ying Fang Qian and Fang Zhenxian |
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| Institution: | College of Electronic Engineering,Heilongjiang University,Harbin 150080,China;College of Electronic and Information Engineering,Tongji University,Shanghai 201804,China;College of Electronic Engineering,Heilongjiang University,Harbin 150080,China |
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| Abstract: | By mathematical proof,we identify a modified feedback emitter-coupled logic (MFECL) gate with an ECL memory-gate or D latch, because the MFECL gate is able to keep steady either of two states.Then we present a D master-slave flip-flop that consists of two ECL memory-gates.On the basis of the above theory,a five-carry shifting counter is designed using such D master-slave flip-flops.The above theory and circuits are verified through computer simulation. |
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| Keywords: | memory property of feedback ECL memory-gate D latch D master-slave flip-flop five-carry shifting counter |
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