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| 半导体的禁带宽度与温度关系研究 | |
| 引用本文： | 张熬,陈鹏,周婧,李一萌,杨云飞,冒小康,葛成,施毅,张荣,郑有炓.半导体的禁带宽度与温度关系研究[J].光电子技术,2019,39(3):160-167. |
| 作者姓名： | 张熬 陈鹏 周婧 李一萌 杨云飞 冒小康 葛成 施毅 张荣 郑有炓 |
| 作者单位： | 南京大学电子科学与工程学院,江苏省光电功能材料重点实验室,南京210093;南京大学电子科学与工程学院,江苏省光电功能材料重点实验室,南京210093;南京大学扬州光电研究院,江苏扬州225009 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;江苏省自然科学基金;江苏省自然科学基金;江苏省自然科学基金;固态照明与节能电子学协同创新中心;江苏省"六大人才高峰"高层次人才项目;国家重点实验室开放基金;南京大学扬州光电研究院研发项目;国网山东省电力公司电力科学研究院研发基金 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 带隙温度依赖 Varshni模型 能带收缩 声子色散 声子特性 热导率 迁移率 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |