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| 第一性原理研究SinB（n=1～12）团簇的稳定性 | |
| 作者姓名： | 张俊 赵高峰 井群 刘霞 罗有华 |
| 作者单位： | [1]河南大学物理与电子学院理论物理研究所,开封475004 [2]华东理工大学理学院,上海200237 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（10174086）;河南大学自然科学基金（06YBZR021） |
| 摘 要： | 基于密度泛函理论（DFT），我们研究了SinB（n=1～12）团簇的稳定性．结果表明：SinB的基态构型是在Sin-1B的基态或亚稳态构型上带帽一个Si原子而得到；随着团簇尺寸的增大，B原子逐渐从吸附在Sin团簇的表面位置移动到Sin团簇笼内；掺杂B原子提高了纯硅团簇的稳定性；电子总是从Si向B转移，B原子所带的电荷数不仅与B原子的配住数有关，还与SinB团簇的基态结构密切相关. |
| 关 键 词： | SinB团簇 稳定结构 电子性质 |
| 文章编号： | 1000-0364（2007）增刊-091-04 |
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