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第一性原理研究SinB(n=1~12)团簇的稳定性
引用本文:张俊,赵高峰,井群,刘霞,罗有华.第一性原理研究SinB(n=1~12)团簇的稳定性[J].原子与分子物理学报,2007,24(B08):91-94.
作者姓名:张俊  赵高峰  井群  刘霞  罗有华
作者单位:[1]河南大学物理与电子学院理论物理研究所,开封475004 [2]华东理工大学理学院,上海200237
基金项目:国家自然科学基金(10174086);河南大学自然科学基金(06YBZR021)
摘    要:基于密度泛函理论(DFT),我们研究了SinB(n=1~12)团簇的稳定性.结果表明:SinB的基态构型是在Sin-1B的基态或亚稳态构型上带帽一个Si原子而得到;随着团簇尺寸的增大,B原子逐渐从吸附在Sin团簇的表面位置移动到Sin团簇笼内;掺杂B原子提高了纯硅团簇的稳定性;电子总是从Si向B转移,B原子所带的电荷数不仅与B原子的配住数有关,还与SinB团簇的基态结构密切相关.

关 键 词:SinB团簇  稳定结构  电子性质
文章编号:1000-0364(2007)增刊-091-04
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