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| 硅二极管脉冲中子辐照效应的研究 | |
| 引用本文： | 吴凤美,赵丽华.硅二极管脉冲中子辐照效应的研究[J].南京大学学报(自然科学版),1995,31(4):548-551. |
| 作者姓名： | 吴凤美 赵丽华 |
| 摘 要： | 对加固Ｐ＾＋ｎｎ＾＋高压整流二极管进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。ＤＬＴＳ测量表明，脉冲中子辐照（Φｎ＝８．６×１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２）在硅中引入的缺陷主要是双空位Ｅ４和Ｅ２缺陷，氧空位和双空位Ｅ２（Ｖ＾＝２）缺陷强度很低。氧空位密度的降低可归因于辐照缺陷的衰减和再构。脉冲中子辐照引起Ｆｒｅｎｋｅｌ对成份的增加，增加的空位密度致使复杂络合物，例如（Ｏ＋Ｖ２）或（Ｏ＋Ｖ３）缺陷的有效产生。实验结果还 |
| 关 键 词： | 脉冲中子 辐照效应 二极管 氧空位 硅二极管 |
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