| InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对Jth和ηd的影响 |
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| 引用本文： | 李忠辉,李梅,王玲,高欣,王玉霞,张兴德.InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对Jth和ηd的影响[J].半导体光电,2002,23(2):90-91,95. |
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| 作者姓名： | 李忠辉 李梅 王玲 高欣 王玉霞 张兴德 |
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| 作者单位： | 长春光学精密机械学院,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022 |
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| 摘 要： | 利用LP-MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAs SCH-SQW结构,制作了宽接触条形激光器,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值;腔长较短时,阈值电流密度随腔长的变化而迅速变化.
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| 关 键 词： | 分别限制结构 阈值电流密度 外微分量子效率 |
| 文章编号： | 1001-5868(2002)02-0090-02 |
| 修稿时间： | 2001年2月12日 |
Effect of Cavity Length on Jth and ηd of InGaAsP/InGaP/GaAs SQW Lasers |
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| LI Zhong-hui,LI Mei,WANG Ling,GAO Xin,WANG Yu-xia,ZHANG Xing-de.Effect of Cavity Length on Jth and ηd of InGaAsP/InGaP/GaAs SQW Lasers[J].Semiconductor Optoelectronics,2002,23(2):90-91,95. |
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| Authors: | LI Zhong-hui LI Mei WANG Ling GAO Xin WANG Yu-xia ZHANG Xing-de |
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| Abstract: | InGaAsP/InGaP/GaAs SCH SQW lasers are fabricated by LP-MOCVD technology.The effect of cavity length on threshold current density and external differential quantum efficiency is discussed. |
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| Keywords: | separate confinement heterostructure threshold current density external differential quantum efficiency |
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