|
|||||
|
|
| GaAs薄膜电沉积机理的初探 | |
| 引用本文： | 韩爱珍,林逸青,赵永春,高元恺.GaAs薄膜电沉积机理的初探[J].半导体学报,1997,18(5):380-384. |
| 作者姓名： | 韩爱珍 林逸青 赵永春 高元恺 |
| 作者单位： | 哈尔滨工业大学 |
| 摘 要： | 本文叙述了电沉积制备GaAs薄膜的原理．我们在不同的基片上均成功地得到了成分接近化学计量比的GaAs薄膜．初步探讨了GaAs薄膜的电沉积机理． |
| 关 键 词： | 砷化镓 薄膜 电沉积机理 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 | |