脉冲功率开关RSD的高dⅠ/dt特性研究 |
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作者姓名: | 梁琳 余岳辉 颜家圣 周郁明 |
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作者单位: | [1]华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074 [2]襄樊台基半导体有限公司,湖北襄樊441021 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(50277016,50577028);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050487044). |
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摘 要: | 基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dⅠ/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dⅠ/dt特性的因素,dⅠ/dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大,随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大.RSD的dⅠ/dt耐量可达1×10^5A·μs^-1,远高于普通晶闸管,可应用于短脉冲大电流领域.
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关 键 词: | 通态电流上升率 反向开关晶体管 短脉冲 开关 |
修稿时间: | 2006-03-10 |
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