利用激光分解硅烷获得硅薄膜 |
| |
引用本文: | 吴振球, 刘洪庆, 陈万湘. 利用激光分解硅烷获得硅薄膜[J]. 物理, 1981, 10(9). |
| |
作者姓名: | 吴振球 刘洪庆 陈万湘 |
| |
作者单位: | 河北大学激光研究室 |
| |
摘 要: | 半导体硅薄膜在电子工业、太阳能的利用等方面都有重要应用.通常这种薄膜多是用化学汽相沉积(CVD)的方法制备的.由于CVD技术要对基底进行长时间的高温加热,这就不可避免地要出现杂质迁移和来自基片的自掺杂等缺点,在器件应用中难以获得理想的杂质分布.随着激光技术的广泛应用,近两年来已有人开始探讨用激光制取硅薄膜的可能性[1].与此同时我们也进行了初步探讨.我们的实验装置如图1所示,采用连续波CO2?...
|
|
| 点击此处可从《物理》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理》下载全文 |
|