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| LSI工艺和失效机理的电镜分析 | |
| 引用本文： | 张明,刘永宽,肖化明,刘学如.LSI工艺和失效机理的电镜分析[J].物理,1984(11). |
| 作者姓名： | 张明 刘永宽 肖化明 刘学如 |
| 作者单位： | 四川固体电路研究所 (张明，刘永宽，肖化明)，四川固体电路研究所(刘学如) |
| 摘 要： | 一、剖面分析技术 剖面分析对确切地了解器件纵向结构参数,配合工艺研究是十分重要的.LSI(大规模集成电路)研制工艺是综合性很强的技术,它的工序多,工艺严格而复杂,要求可靠性高.例如,64 K位 RAM(随机存贮器)就需要三层多晶硅工艺.虽然研制者可以按预定要求来控制工艺条件,但是实际结果必须由测试分析来判断.由于受光学显微镜分辨率的限制,无法测量这么多层次的显微结构,通常只能用电学测试进行判定.利用SEM(扫描电子显微镜侧可以直接观察其形貌及测量其几何尺寸. 为了能清晰地直接观察到单个器件的纵向结构,可以利用解理法解理电路芯片… |
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