| 磁控溅射300 nm铜膜的电学性能研究 |
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| 引用本文： | 雒向东,吴学勇,赵海阔.磁控溅射300 nm铜膜的电学性能研究[J].微电子学,2007,37(6):826-829. |
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| 作者姓名： | 雒向东 吴学勇 赵海阔 |
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| 作者单位： | 1. 兰州城市学院 培黎工程技术学院,兰州 730070;中国空间技术研究院 兰州物理研究所,兰州 730000
2. 兰州城市学院 培黎工程技术学院,兰州,730070 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射方法,在不同的基片温度Ts和偏压Us条件下淀积300 nm厚的Cu膜,用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、四点探针电阻测试仪,研究了薄膜的表面形貌和电阻率。结果表明:Cu膜的表面粗糙度和电阻率随工艺参数的改变而变化。随着Ts的升高,薄膜表面粗糙度Rrms与电阻率ρ均经历了先减小再增加的过程,在Ts<373 K时,表面扩散导致薄膜表面平滑,而当Ts>373 K时,晶粒长大诱导表面粗化;当Ts<673 K时,ρ随着Ts的增加而不断减小,但是,当Ts>673 K时,晶粒发生团聚而造成其几何形态和分布方式改变,进而导致ρ异常增加。随着Us的增加,Rrms呈现出先降低再增加的趋势,而ρ则逐渐递减。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 铜膜 电阻率 |
| 文章编号： | 1004-3365（2007）06-0826-04 |
| 收稿时间： | 2007-06-04 |
| 修稿时间： | 2007-08-29 |
Study on Electrical Properties of 300 nm-Thick Cu-Films Deposited by Magnetron Sputtering |
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| LUO Xiang-dong,WU Xue-yong,ZHAO Hai-kuo.Study on Electrical Properties of 300 nm-Thick Cu-Films Deposited by Magnetron Sputtering[J].Microelectronics,2007,37(6):826-829. |
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| Authors: | LUO Xiang-dong WU Xue-yong ZHAO Hai-kuo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Magnetron sputtering Cu film Resistivity |
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