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| Bi—2212相欠掺杂区域的反常输运性质研究 | |
| 引用本文： | 阮可青,钱国光.Bi—2212相欠掺杂区域的反常输运性质研究[J].低温物理学报,1998,20(6):468-473. |
| 作者姓名： | 阮可青 钱国光 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学结构分析开放实验室，中国科学技术大学物理系 |
| 摘 要： | 测量了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＹｘＣｕ２Ｏ８单晶样品ａｂ平面内电阻率ρａｂ和多晶样品电阻率ρ．热电势Ｓ随温度Ｔ的变化关系（单晶：ｘ的范围从０到０．１５；多晶：ｘ的范围从０到０．４）．在单晶和多晶样品中，都系统地观察到类似于ＹＢａ２Ｃｕ４Ｏ８，ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｙ体系中由于自旋能隙出现而引起的输运性质反常现象．详细地讨论了上述实验结果，并与角分辨率光电子能谱实验（ＡＲＰＥＳ），电子拉曼实验结果进行比较，得出Ｂｉ２２１２相欠掺杂区域的电子相图． |
| 关 键 词： | 超导体 氧化物 反常输运性质 铋2212 欠掺杂区 |
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