| InGaN/GaN 和 InGaN/AlGaN 多量子阱中应变对光致发光特性的影响 |
| |
| 引用本文： | 于彤军,康香宁,秦志新,陈志忠,杨志坚,胡晓东,张国义.InGaN/GaN 和 InGaN/AlGaN 多量子阱中应变对光致发光特性的影响[J].半导体学报,2006,27(13):20-24. |
| |
| 作者姓名： | 于彤军 康香宁 秦志新 陈志忠 杨志坚 胡晓东 张国义 |
| |
| 作者单位： | 北京大学物理学院 介观物理和人工微结构国家重点实验室，北京 100871;北京大学物理学院 介观物理和人工微结构国家重点实验室，北京 100871;北京大学物理学院 介观物理和人工微结构国家重点实验室，北京 100871;北京大学物理学院 介观物理和人工微结构国家重点实验室，北京 100871;北京大学物理学院 介观物理和人工微结构国家重点实验室，北京 100871;北京大学物理学院 介观物理和人工微结构国家重点实验室，北京 100871;北京大学物理学院 介观物理和人工微结构国家重点实验室，北京 100871 |
| |
| 摘 要： | 对蓝宝石衬底上的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构和经激光剥离去除衬底的InGaN/GaN和InGaN/AlGaN多量子阱结构薄膜样品，进行了光致发光谱、高分辨XRD和喇曼光谱测量. PL测量结果表明，相对于带有蓝宝石衬底的样品，InGaN/GaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生较小的蓝移，而InGaN/AlGaN多量子阱薄膜样品的PL谱峰值波长发生明显的红移；喇曼光谱的结果表明，激光剥离前后E2模的峰值从569.1减少到567.5cm-1. 这说明激光剥离去除衬底使得外延层整体的压应力得到部分释放，但InGaN/GaN与InGaN/AlGaN多量子阱结构中阱层InGaN的应力发生了不同的变化. XRD的结果证实了这一结论.
|
| 关 键 词： | 光致发光谱 InGaN AlGaN 多量子阱 应变 |
Strain Effect on Photoluminescence from InGaN/GaN and InGaN/AlGaN MQWs |
| |
| Yu Tongjun,Kang Xiangning,Qin Zhixin,Chen Zhizhong,Yang Zhijian,Hu Xiaodong and Zhang Guoyi.Strain Effect on Photoluminescence from InGaN/GaN and InGaN/AlGaN MQWs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(13):20-24. |
| |
| Authors: | Yu Tongjun Kang Xiangning Qin Zhixin Chen Zhizhong Yang Zhijian Hu Xiaodong and Zhang Guoyi |
| |
| Institution: | State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Microscopic Physics,School of Physics,Peking University,Beijing 100871,China;State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Microscopic Physics,School of Physics,Peking University,Beijing 100871,China;State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Microscopic Physics,School of Physics,Peking University,Beijing 100871,China;State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Microscopic Physics,School of Physics,Peking University,Beijing 100871,China;State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Microscopic Physics,School of Physics,Peking University,Beijing 100871,China;State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Microscopic Physics,School of Physics,Peking University,Beijing 100871,China;State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Microscopic Physics,School of Physics,Peking University,Beijing 100871,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | photoluminescence InGaN AlGaN MQWs strain |
|
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 |
|
