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| 1.3微米低阈值大功率基横模BH InGaAsP/InP激光器 | |
| 引用本文： | 王圩,张静媛,田慧良,汪孝杰.1.3微米低阈值大功率基横模BH InGaAsP/InP激光器[J].半导体学报,1986,7(3):337-340. |
| 作者姓名： | 王圩 张静媛 田慧良 汪孝杰 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (王圩，张静媛，田慧良，汪孝杰)，中国科学院半导体研究所(器件工艺组) |
| 摘 要： | 我们采用二次液相外延技术,成功地研制出1.3微米低阈值,大功率,基横模BH InGaAsPInP激光器,其室温连续工作阈电流低至 10mA,单面微分量子效率达到 31％,最大线性光功率输出为20mW~*/facet以上,在2.5倍阈值的工作电流下仍可稳定的基横模工作. |
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