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| GaAs1—xPx：EL2（x=0—0／08）光猝灭截面谱的温度依赖性 | |
| 引用本文： | 杨锡震.GaAs1—xPx：EL2（x=0—0／08）光猝灭截面谱的温度依赖性[J].发光学报,1999,20(1):11-13. |
| 作者姓名： | 杨锡震 |
| 作者单位： | 北京师范大学分析测试中心，中国科学院半导体研究所超晶格和微结构国家重点实验室 |
| 摘 要： | 对实测ＧａＡｓ１－ｘＰｘ合金（ｘ＝０，０．０４和０．０８）三个样品中ＥＬ２中心的光猝灭截面谱σ的温度依赖性进行了研究。 |
| 关 键 词： | 激发态 光猝灭 温度依赖性 砷化镓合金 |
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