| RIE技术制备p—n结型GaN蓝光LEDs |
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| 引用本文： | 章其麒,张冀.RIE技术制备p—n结型GaN蓝光LEDs[J].发光学报,1999,20(1):94-96. |
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| 作者姓名： | 章其麒 张冀 |
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| 作者单位： | 河北半导体研究所 |
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| 摘 要： | 自从Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ等人成功地制备了ＧａＮ／ＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮ蓝、绿光ＬＥＤｓ以来，ＧａＮ及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究．由于ＧａＮ材料不同于传统的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，因此其器件的加工工艺，如欧姆或肖特基接触的形成、...
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| 关 键 词： | 反应离子刻蚀 氮化镓 蓝光 发光二极管 |
RIE ETCHING AND FABRICATING OF GaN p n JUNCTION BLUE LEDS |
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| Zhang Qilin,Zhang Ji,Zhao Yongjun,Li Yun,Liang Chunguang,Liu Yanfei,Yang Ruilin.RIE ETCHING AND FABRICATING OF GaN p n JUNCTION BLUE LEDS[J].Chinese Journal of Luminescence,1999,20(1):94-96. |
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| Authors: | Zhang Qilin Zhang Ji Zhao Yongjun Li Yun Liang Chunguang Liu Yanfei Yang Ruilin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RIE GaN blue LEDs |
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